MOS

Transistor de efecto de campo de porta illada.

Dispositivo de estado sólido constituído por transistores de efecto de campo. A tecnoloxía MOS é a base da maioría dos circuítos empregados en memorias dixitais e microprocesadores. A vantaxe máis importante dos circuítos MOS respecto aos circuítos bipolares é que coa tecnoloxía MOS se poden integrar máis transistores e máis funcións nun só chip. Os primeiros circuítos MOS estaban feitos con porta de metal e canle p (tecnoloxía PMOS); na canle de tipo n (NMOS), a tecnoloxía de porta de silicio policristalino e outras melloras permitiron a realización de circuítos de grande escala de integración (LSI). De entre a gran cantidade de versións de dispositivos MOS destaca o NMOS autolineado con porta de silicio que utiliza técnicas de oxidación local (LOCOS) para mellorar a densidade e as prestacións; tamén hai HMOS (MOS de alta velocidade), SMOS (MOS escalado), XMOS, etc. Para empregalos como memoria adoitase engadir unha segunda capa de silicio policristalino, que dá lugar a estruturas de porta flotante (FAMOS). Outra versión da tecnoloxía MOS moi empregada é o MOS complementario (CMOS) que utiliza transistores MOSFET de canle n e p simultaneamente e presenta un consumo de potencia moi inferior. No campo dos dispositivos de potencia a tecnoloxía MOS tamén se desenvolveu moito. Xeralmente os transistores MOSFET de potencia traballan en disposición vertical, co contacto do ordenador colocado na parte inferior do substrato. A tecnoloxía VMOS (MOS co desenvolvemento da forma V) viuse superada ultimamente polo DMOS (MOS de dobre difusión), na súa versión vertical (VDMOS), e lateral (LDMOS), que ten a vantaxe dunha maior facilidade de interconexión con outros compoñentes. Os dispositivos MOS de potencia reciben diferentes nomes segundo cal sexa a forma xeométrica que presentan os seus electrodos: por exemplo, HEXFET (MOSFET de forma hexagonal). Os dispositivos MOS constitúen unha parte moi importante dentro dos dispositivos de potencia.