transistor

Dispositivo electrónico de estado sólido, baseado nas propiedades condutoras dos materiais semicondutores empregado para controlar ou amplificar unha corrente eléctrica. As súas pequenas dimensións, fiabilidade, duración, baixo consumo e prezo permitiron que substituísen dun xeito vantaxoso os tubos electrónicos. O transistor foi inventado en 1948 por J. Barden e W. Brattain, que xunto con W. Schockley traballaron nos laboratorios da Bell Telephone. Os tres gañaron o premio Nobel en 1956. O primeiro tipo de transistor, coñecido como transistor de puntas, consistía en dous eléctrodos de xermanio colocados de xeito que as súas puntas case se tocaban. Era feble e pouco estable, foi abandonado ao ser desenvolvido por W. Schockley en 1951 un novo tipo, o transistor de unión, do que hai dous tipos básicos: o transistor bipolar e o unipolar. No primeiro a condución é orixinada por dous tipos de portadores de carga (electróns e buracos), mentres que no segundo o é por só un dos dous (os electróns ou buracos). O transistor bipolar consiste en tres capas de material semicondutor extrínseco, con dúas capas extremas de tipo n ou de tipo p, e a capa do medio do tipo oposto (transistor npn ou pnp). O conxunto forma dúas unións pn tendo tres eléctrodos conectados a cada unha das capas. A capa central chámase base e as outras dúas emisor e colector. A causa das dúas unións opostas a corrente non pode pasar dun extremo ao outro, pero cando se inxecta unha corrente débil pola base prodúcese un pequeno campo eléctrico que permite o transporte de cargas do emisor ao colector a través da base. Funciona como amplificador de xeito que a entrada ou unión emisor-base se polariza en sentido directo e a saída ou unión base-colector en inverso. Prodúcense unhas variacións moi grandes da corrente do colector, proporcionais ás variacións da corrente que entra pola base. O transistor pode traballar tamén como interruptor, constituíndo a base da electrónica dixital. O primeiro transistor era de xermanio, pero actualmente a maioría son de silicio. O transistor unipolar está constituído por unha canle dun determinado tipo de polaridade (p ou n), situado entre dous eléctrodos do mesmo tipo pero moito máis dopados, chamados fonte e drenador. A condución a través desta canle é modulada por un campo eléctrico transversal, aplicado a un eléctrodo chamado porta. Este transistor coñécese como FET (Field Effect Transistor), é dicir, transistor de efecto campo. Distínguense tres tipos básicos, o JFET, o MOSFET e o MESFET.

Aparato receptor de radio que funciona con transistores.

Dispositivo electrónico que consiste nunha lámina de cristal semicondutora atravesada por dous raios de luz, un forte e un débil, de xeito que este último actúa como excitador ou regulador do raio principal. Desenvolvido nos Bell Laboratories en 1978, este é o equivalente óptico do transistor electrónico.