Gunn, efecto

Efecto descuberto en 1963 polo físico J. B. Gunn, nos semicondutores do grupo III-V como o arseniuro de galio e o fosfuro de galio de tipo n. A aplicación dun campo eléctrico superior a un certo valor produce a transferencia de electróns do mínimo absoluto da banda de condución a outro mínimo superior en que os electróns teñen unha mobilidade máis pequena. Prodúcese unha acumulación de carga que é seguida dunha zona de baleirado, que recibe o nome de dominio. Estes dipolos desprázanse no tempo ao longo do semicondutor e producen un pico de corrente. É a base do funcionamento do díodo Gunn.